Научно-образовательный центр «Технологический центр»

Воротилов Константин Анатольевич

Директор
д.т.н., лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники
Адрес: пр. Вернадского, 78, В-220 – В-222, В-201б
IP: 3023, 3042, 3025
Тел: +7 499 215-65-65 доб.: 3023, 3042, 3025
E-mail: techcenter@mirea.ru

Режим работы:
пн 11.00-20.00
вт 15:00-16:00
ср 15:00-16:00
чт 11.00-20.00
пт 11.00-20.00

Положение о Научно-образовательном центре «Технологический центр»

Файлы

НОЦ «Технологический центр» создан в 2012 году с целью проведения научно-исследовательских работ по созданию новых технологий и устройств перспективной элементной базы электроники, а также подготовки специалистов в области технологии, материалов и устройств электроники.

Состав НОЦ:

• Отдел технологических исследований, в т.ч. участок синтеза пленкообразующих растворов и участок формирования гетероструктур с установками роста, отжига и кристаллизации.
• Отдел метрологии и разработки, имеющий в своем распоряжении комплекс измерительных средств для контроля электрофизических и оптических параметров полупроводниковых гетероструктур и устройств на их основе.

Основные направления деятельности:
Технологии

• Технологии диэлектрических тонких пленок и наноструктур, в том числе активных диэлектриков, пористых материалов, проводящих оксидов и композитов
• Плёнкообразующие растворы и методы формирования гетероструктур на основе сегнетоэлектриков, мультиферроиков, проводящих оксидов (PZT, BST, BFO, LNO и другие)
• Плёнкообразующие растворы и методы формирования пористых сегнетоэлектриков и композитов
• Плёнкообразующие растворы и методы формирования пористых изолирующих диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) методами молекулярной самосборки
• Плёнкообразующие растворы для получения различных оксидов (Si, Ti, Zr и другие) и неорганически-органических гибридов, включая периодические мезопористые оксиды
• Процессы создания изолирующих и планаризирующих слоёв в BEOL и FEOL процессах
• Сегнетоэлектрические тонкие плёнки, гетеро- и наноструктуры, композиты
• CSD и ALD технологии осаждения

Химическая лаборатория и технологический участок с локальной чистой зоной

Нанесение пленок

Устройства

• Многоуровневые системы металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью
• Пьезоэлектрические МЭМС и датчики
• Энергонезависимые CЗУ – FRAM, стойкие к экстремальным факторам
• Защитные, планаризующие, пассивирующие покрытия
• Плёнки для оптических и иных применений

Методы контроля

• Физические процессы в диэлектриках и сегнетоэлектриках
• Вольт-амперные характеристики, определение времён релаксации, методы определения стационарных токов утечки, механизмы транспорта носителей заряда
• Вольт-фарадные характеристики, температурные циклы диэлектриков
• Поляризация, хранение, переключение заряда, число циклов в сегнетоэлектриках
• Толщина и показатель преломления (спектральная эллипсометрия)
• Эллипсометрическая порометрия (пористость, размер пор, модуль Юнга)
• Определение угла смачивания
• ИК-Фурье спектроскопия тонких плёнок
• Состав и кристаллическая структура

Эллипсометрические исследования

Исследование спектральных характеристик

Исследование электрических свойств гетероструктур

Обучение

• магистерская программа «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники»
• аспирантура: специальности 05.27.01 и 05.27.06

Исследование электрических свойств гетероструктур

Перспективы

• технологические и химические участки с «чистыми комнатами»
• устройства электроники на новых физических принципах

НОЦ «Технологический центр» создан приказом ректора университета от 28 апреля 2012 года № 191 «Об организации НОЦ» на основании решения Учёного совета университета от 25 апреля 2012 года (протокол № 10) и Соглашения о создании научно-образовательного центра «Технологический центр», заключённого между МГТУ МИРЭА, ОАО «Российская электроника» и ЗАО «СКАН» от 6 апреля 2012 года. Приказом ректора университета от 25 января 2017 года № 4-ст «О внесении изменения в структуру МИРЭА, утверждённую приказом МИРЭА от 9 января 2017 года № 1-ст «Об утверждении структуры федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования “Московский технологический университет” на 2017 год» в целях совершенствования структуры МИРЭА НОЦ «Технологический центр» преобразован в отдельное научное структурное подразделение.

В НОЦ «Технологический центр» имеется современное специализированное оборудование, в том числе:

• Химическая лаборатория для работы с металлоорганическими соединениями высокой степени чистоты
• Технологический участок с локальной чистой зоной (установка для нанесения плёнок методом центрифугирования Laurell, установка Hotplate/Coolplate, диффузионные печи, установка быстрого термического отжига, установка атомно-слоевого осаждения)
• Измерительное оборудование (многофункциональный комплекс для измерения и анализа электрофизических характеристик MDC, система измерений электрофизических характеристик сегнетоэлектрических материалов aixACCT, ИК-Фурье спектрометр, многоволновая эллипсометрическая система)

Основные направления, объекты и цели исследований

Направления исследований:

• Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники, в т.ч. методы, материалы и прекурсоры для химического осаждения из растворов (CSD), атомарно-слоевого осаждения (ALD); high-k и low-k материалы, и пр.
• Материалы для перспективной элементной базы: активные диэлектрики, сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, функциональные перовскиты, нанопористые диэлектрики, пористые сегнетоэлектрики, неорганически-органические гибриды, композиты и пр.

Цель исследований:
Создание элементной базы микро- и наноэлектроники на новых физических принципах.

Результаты работ с указанием значимых наград и достижений.

Коллектив авторов под руководством академика РАН А.С.Сигова является пионером в области интегрированных сегнетоэлектрических устройств. Основные результаты исследований:

1. Теоретическое и экспериментальное обоснование нового направления в микроэлектронике: интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Создано новое направление — активные диэлектрики для элементной базы информационных систем, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные энергонезависимые запоминающие устройства высокой степени интеграции для работы в устройствах специального назначения, микроэлектромеханические системы и датчики. Разработан полный цикл технологии формирования сегнетоэлектрических элементов, интегрированных с технологической базой микроэлектроники.
2. Научные основы золь гель технологии сегнетоэлектрических тонких плёнок и гетероструктур. Разработаны технологии формирования многокомпонентных оксидных гетероструктур на основе сегнетоэлектрических перовскитов: цирконата-титаната свинца, титаната бария-стронция, танталата висмута стронция.
3. Метод химического осаждения из растворов простых оксидов и органически-модифицированных силикатов. Разработаны новые технологические методы формирования диэлектрических плёнок в микро- и наноэлектронике, обеспечивающие формирование тонких плёнок широкого класса оксидов, неорганически-органических гибридов, наноструктурированных слоёв.
4. Метод формирования изолирующих диэлектрических слоёв многоуровневых систем металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью – low-k. Разработаны методы формирования и технологические маршруты, методы синтеза плёнкообразующих растворов для процессов формирования диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) многоуровневых систем металлизации СБИС.
5. Разработаны новые принципы дальнейшего повышения скорости и объёмов обработки информационных массивов путём создания устройств на основе сегнетоэлектрических наноструктур.

Сотрудники НОЦ «Технологический центр» отмечены рядом наград, в том числе почётными грамотами и дипломами выставок INTERPOLITEX (Средства обеспечения безопасности государства), MIIF (Moscow International Industrial Fair), а также РАСУ (Российское агентство по системам управления), Института кристаллографии РАН, почётными медалями и знаками Минобрнауки России, Российской академии естественных наук, Международной академии наук о природе и обществе. Список основных публикаций

Статьи (всего более 300):

2022 год

1. Atanova A.V., Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Orlov G.A., Seregin D.S., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Microstructure analysis of porous lead zirconate–titanate films // Journal of the American Ceramic Society. – 2022. – V. 105. – № 1. – P. 639-652. – DOI 10.1111/jace.18064 (IF: 3.784; WoS Q1; Scopus Q1).

2. Vishnevskiy A.S., Vorotyntsev D.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Effect of surface hydrophobisation on the properties of a microporous phenylene-bridged organosilicate film // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2022. – V. 576. – P. 121258. – DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2021.121258 (IF: 3.531; WoS Q1-Q2; Scopus Q1-Q2).

3. Lopaev D., Zotovich A., Zyryanov S.M., Bogdanova M., Rakhimova T.V., Mankelevich Y.A., Novikova N.N., Seregin D.S., Vishnevskiy A., Vorotilov K., Shi X., Baklanov M. Effect of H atoms and UV wideband radiation on cured low-k OSG films // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2022. – DOI 10.1088/1361-6463/ac5eee. – В печати (IF: 3.207; WoS Q2; Scopus Q1).

4. Perevalov T.V., Gismatulin A.A., Gritsenko V.A., Xu H., Zhang J., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Charge Transport Mechanism in a PECVD Deposited Low-k SiOCH Dielectric // Journal of Electronic Materials. – 2022. – DOI 10.1007/s11664-021-09411-8. – В печати (IF: 1.938; WoS Q3; Scopus Q2-Q3).

5. Podgorny Y.V., Antonovich A.N., Petrushin A.A., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Effect of metal electrodes on the steady-state leakage current in PZT thin film capacitors // Journal of Electroceramics. – 2022. – В печати (IF: 1.785; WoS Q2; Scopus Q1-Q2).

6. Rezvanov A., Miakonkikh A., Vishnevskiy A., Seregin D., Vorotilov K., Rudenko K., Baklanov M. Methylated porous low-k materials: critical properties and plasma resistance // Proceedings of SPIE (International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2021, Zvenigorod, Russian Federation, October 04-09, 2021). – 2022. – V. 12157. – P. 1215716. – DOI 10.1117/12.2624608 (SJR: 0.192).

2021 год

1. Komandin G.A., Nozdrin V.S., Chernomyrdin N.V., Seregin D.S., Vishnevskiy A.S., Kurlov V.N., Vorotilov K.A., Miakonkikh A.V., Lomov A.A., Rudenko K.V., Spektor I.E. Dielectric permittivity of organosilicate glass thin films on a sapphire substrate determined using time-domain THz and Fourier IR spectroscopy // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2021. – V. 55. – № 2. – P. 025303. – DOI 10.1088/1361-6463/ac2ad5 (IF: 3.207; WoS Q2; Scopus Q1).

2. Komandin G.A., Nozdrin V.S., Spektor I.E., Porodinkov O.E., Seregin D.S., Vishnevskiy A.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Dielectric contribution of the IR absorption bands of porous organosilicate glass thin films on a platinum sublayer // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2021. – V. 54. – № 21. – P. 215304. – DOI 10.1088/1361-6463/abe897 (IF: 3.207; WoS Q2; Scopus Q1).

3. Делимова Л.А., Зайцева Н.В., Ратников В.В., Юферев В.С., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния // Физика твердого тела. – 2021. – Т. 63. – № 8. – С. 1076-1083. – DOI 10.21883/FTT.2021.08.51157.052 [перевод: Delimova L.A., Zaitseva N.V., Ratnikov V.V., Yuferev V.S., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Comparison of Characteristics of Thin PZT Films on Si-on-Sapphire and Si Substrates // Physics of the Solid State. – 2021. – V. 63. – № 8. – P. 1145-1152. – DOI 10.1134/S1063783421080060] (IF: 0.895; WoS Q4; Scopus Q3).

4. Podgorny Y., Sigov A., Vorotilov K. Once again on the hysteresis loop: leakage current consideration // Ferroelectrics. – 2021. – V. 573. – № 1. – P. 1-8. – DOI 10.1080/00150193.2021.1890459 (IF: 0.62; WoS Q4; Scopus Q4).

5. Atanova A.V., Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Kotova N.M., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Chemical and phase inhomogeneity in LaNiO3 electrodes prepared by chemical solution deposition // Ferroelectrics. – 2021. – V. 574. – № 1. – P. 29-36. – DOI 10.1080/00150193.2021.1888046 (IF: 0.62; WoS Q4; Scopus Q4).

6. Rasadujjaman M., Zhang J., Mogilnikov K.P., Vishnevskiy A.S., Zhang J., Baklanov M.R. Effect of methyl terminal and ethylene bridging groups on porous organosilicate glass films: FTIR, ellipsometric porosimetry, luminescence dataset // Data in Brief. – 2021. – V. 35. – P. 106895. – DOI 10.1016/j.dib.2021.106895 (SJR: 0.122; Scopus Q4).

2020 год 

1. Rasadujjaman M., Wang Y., Zhang L., Naumov S., Attallah A.G., Liedke M.O., Koehler N., Redzheb M., Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Wu Y., Zhang J., Leu J., Wagner A., Vorotilov K.A., Schulz S.E., Baklanov M.R. A detailed ellipsometric porosimetry and positron annihilation spectroscopy study of porous organosilicate-glass films with various ratios of methyl terminal and ethylene bridging groups // Microporous and Mesoporous Materials. – 2020. – V. 306. – P. 110434. – DOI 10.1016/j.micromeso.2020.110434 (IF: 5.455; WoS Q1-Q2; Scopus Q1).

2. Ovchinnikov I.S., Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Rezvanov A.A., Schneider D., Sigov A.S., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Evaluation of Mechanical Properties of Porous OSG Films by PFQNM AFM and Benchmarking with Traditional Instrumentation // Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. – 2020. – V. 36. – № 32. – P. 9377-9387. – DOI 10.1021/acs.langmuir.0c01054 (IF: 3.882; WoS Q2; Scopus Q1-Q2).

3. Vishnevskiy A.S., Naumov S., Seregin D.S., Wu Y.-H., Chuang W.-T., Rasadujjaman M., Zhang J., Leu J., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Effects of Methyl Terminal and Carbon Bridging Groups Ratio on Critical Properties of Porous Organosilicate Glass Films // Materials. – 2020. – V. 13. – № 20. – P. 4484. – DOI 10.3390/ma13204484 (IF: 3.623; WoS Q1-Q2; Scopus Q2).

4. Perevalov T.V., Gismatulin A.A., Seregin D.S., Wang Y., Xu H., Kruchinin V.N., Spesivcev E.V., Gritsenko V.A., Nasyrov K.A., Prosvirin I.P., Zhang J., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Critical properties and charge transport in ethylene bridged organosilica low-κ dielectrics // Journal of Applied Physics. – 2020. – V. 127. – № 19. – P. 195105. – DOI 10.1063/1.5145239 (IF: 2.546; WoS Q2; Scopus Q2).

5. Perevalov T.V., Gismatulin A.A., Dolbak A.E., Gritsenko V.A., Trofimova E.S., Pustovarov V.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl‐Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics // Physica Status Solidi A. – 2020. – P. 2000654 (1-7). – DOI 10.1002/pssa.202000654 (IF: 1.981; WoS Q3; Scopus Q2).

6. Rezvanov A.A., Miakonkikh A.V., Seregin D.S., Vishnevskiy A.S., Vorotilov K.A., Rudenko K.V., Baklanov M.R. Effect of terminal methyl groups concentration on critical properties and plasma resistance of organosilicate low-k dielectrics // Journal of Vacuum Science & Technology A. – 2020. – V. 38. – № 3. – P. 033005(1-16). – DOI 10.1116/1.5143417 (IF: 2.427; WoS Q3; Scopus Q3).

7. Liu C., Lv C., Kohler N., Wang X., Lin H., He Z., Wu Y.-H., Leu J., Wei S., Zhang J., Yan J., Palov A.P., Baklanov M.R. Properties of organosilicate low-k films with 1,3- and 1,3,5-benzene bridges between Si atoms // Japanese Journal of Applied Physics. – 2020. – V. 59. – № SL. – P. SLLG01. – DOI 10.35848/1347-4065/ab86dc (IF: 1.48; WoS Q4; Scopus Q2).

8. Командин Г.А., Ноздрин В.С., Орлов Г.А., Серегин Д.С., Курлов В.Н., Воротилов К.А., Сигов А.С. Терагерцовая и инфракрасная спектроскопия тонких плотных и пористых пленок органосиликатного стекла // Доклады Российской Академии Наук. Физика, Технические Науки. – 2020. – Т. 490. – № 1. – С. 33-38. – DOI 10.31857/S2686740020010149 [Komandin G.A., Nozdrin V.S., Orlov G.A., Seregin D.S., Kurlov V.N., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Terahertz and Infrared Spectroscopy of Dense and Porous Organosilicate Glass Thin Films // Doklady Physics. – 2020. – V. 65. – № 2. – P. 51-56. – DOI 10.1134/s1028335820020056] (IF: 0.679; WoS Q4; Scopus Q2-Q3).

9. Ovchinnikov I., Orlov G., Seregin D., Vishnevskiy A., Vorotilov K., Sigov A. Mechanical properties of nanoporous organo silicate glass films for the use in integrated circuits interconnects // AIP Conference Proceedings. – 2020. – V. 2308. – P. 050003(1-6). – DOI 10.1063/5.0033267 (SJR: 0.177).

10. Guschina E.V., Zaitseva N.V., Delimova L.A., Orlov G.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Atomic force microscopy of porous ferroelectric PZT films // Journal of Physics: Conference Series. – 2020. – V. 697. – № 1. – P. 012090(1-4). – DOI 10.1088/1742-6596/1697/1/012090 (SJR: 0.21; Scopus Q4).

11. Абдуллаев Д.А., Милованов Р.А., Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Ланцев А.Н., Воротилов K.A., Сигов А.С. Сегнетоэлектрическая память: современное производство и исследования // Российский технологический журнал. – 2020. – Т. 8. – № 5. – С. 44-67. – DOI 10.32362/2500-316X-2020-8-5-44-67 (ИФ: 0,908).

2019 год

1. Baklanov M.R., Jousseaume V., Rakhimova T.V., Lopaev D.V., Mankelevich Y.A., Afanas'ev V.V., Shohet J.L., King S.W., Ryan E.T. Impact of VUV photons on SiO2 and organosilicate low-k dielectrics: General behavior, practical applications, and atomic models // Applied Physics Reviews. – 2019. – V. 6. – № 1. – P. 011301(1-63). – DOI 10.1063/1.5054304 (IF: 19.162; WoS Q1; Scopus Q1).

2. Xu H., Hu Z.-J., Qu X.-P., Wan H., Yan S.-S., Li M., Chen S.-M., Zhao Y.-H., Zhang J., Baklanov M.R. Effect of thickness scaling on the permeability and thermal stability of Ta(N) diffusion barrier // Applied Surface Science. – 2019. – V. 498. – P. 143887. – DOI 10.1016/j.apsusc.2019.143887 (IF: 6.707; WoS; Scopus Q1).

3. Podgorny Y.V., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Scott J.F. Dead layer thickness estimation at the ferroelectric film-metal interface in PZT // Applied Physics Letters. – 2019. – V. 114. – № 13. – P. 132902(1-5). – DOI 10.1063/1.5084019 (IF: 3.791; WoS Q2; Scopus Q1).

4. Gismatulin A.A., Gritsenko V.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Baklanov M.R. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low-k dielectric // Applied Physics Letters. – 2019. – V. 115. – № 14. – P. 082904(1-5). – DOI 10.1063/1.5113633 (IF: 3.791; WoS Q2; Scopus Q1).

5. Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Mogilnikov K.P., Baklanov M.R. Effect of water content on the structural properties of porous methyl-modified silicate films // Journal of Sol-Gel Science and Technology. – 2019. – P. 1-9. – DOI 10.1007/s10971-019-05028-w (IF: 2.326; WoS Q2; Scopus Q2-Q3).

6. Seregin D.S., Naumov S., Chang W.-Y., Wu Y.-H., Wang Y., Kotova N.M., Vishnevskiy A.S., Wei S., Zhang J., Vorotilov K.A., Redzheb M., Leu J., Baklanov M.R. Effect of the C-bridge on UV properties of organosilicate films // Thin Solid Films. – 2019. – V. 685. – P. 329-334. – DOI 10.1016/j.tsf.2019.06.050 (IF: 2.183; WoS Q3; Scopus Q2-Q3).

7. Жигалина О.М., Атанова А.В., Хмелениин Д.Н., Котова Н.М., Серегин Д.С., Воротилов K.A. Структурные особенности и взаимное влияние слоев композиций PZT–LNO–SiOx–Si и PZT–LNO–Si // Кристаллография. – 2019. – Т. 64. – № 6. – С. 955-961. – DOI 10.1134/S0023476119060298 [Zhigalina O.M., Atanova A.V., Khmelenin D.N., Kotova N.M., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Structural Features and Mutual Influence of the Layers in PZT–LNO–SiOx–Si and PZT–LNO–Si Compositions // Crystallography Reports. – 2019. – V. 64. – № 6. – P. 961-967. – DOI 10.1134/S1063774519060282] (IF: 0.735; Wos Q4; Scopus Q3).

8. Podgorny Y., Antonovich A.N., Vorotilov K., Sigov A. Discharge currents in dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 82-87. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598192 (IF: 0.62; WoS Q4; Scopus Q4).

9. Abdullaev D.A., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Ion beam etching of dense and porous PZT films // Ferroelectrics. – 2019. – V. 544. – № 1. – P. 75-81. – DOI 10.1080/00150193.2019.1598188 (IF: 0.62; WoS Q4; Scopus Q4).

10. Ovchinnikov I.S., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Dalskaya G.Y. Detection of idden defects in low-k dielectrics by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Journal of Physics. – 2019. – V. 1327. – № 1. – P. 012011(1-5). – DOI 10.1088/1742-6596/1327/1/012011 (SJR: 0.21; Scopus Q4).

11. Атанова А.В., Жигалина О.М., Хмеленин Д.Н., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Кристаллизация слоев в гетероструктурах PZT/LNO/Si // Физика твердого тела. – 2019. – Т. 61. – № 12. – С. 547-552. – DOI 10.21883/FTT.2019.12.48575.03ks [Atanova A.V., Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Seregin D.S., Vorotilov K.A. Layer Crystallization in PZT/LNO/Si Heterostructures // Physics of the Solid State. – 2019. – V. 61. – № 12. – P. 2464-2467. – DOI 10.1134/S1063783419120035] (IF: 0.895; WoS Q4; Scopus Q3).

 Конференции:

1. Sathyan S., Vishnevskiy A.S., Seregin D.S., Huesiev A., Raetz S., Vorotilov K.A., Gusev V.E., Baklanov M.R. Evaluation of curing efficiency of OSG low-k films using time-domain Brillouin scattering, Micro and Nano Engineering Conference (MNE2021), Turin, Italy, September 20-23, 2021.

2. Ovchinnikov I.S., Seregin D.S., Abdullaev D.A., Vorotilov K.A., Rezvanov A.A., A. G.V., Blomberg T., Veselov A.A., Baklanov M.R. Mechanical Properties of Low-k Dielectric Deposited on Subtractively Patterned Cu Lines for Advanced Interconnects, 2021 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), Kyoto, Japan, July 6-9, 2021.

3. Koehler N., Attalan A.G., Lidke M.O., Butterling M., Hirschmann E., Ecke R., Wagner A., Seregin D., Vorotilov K., Baklanov M.R. Fundamental studies of the curing behavior of porous PECVD and spin on dielectrics, IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC 2020), Kyoto, Japan, October 05-09, 2020.

4. Atanova A.V., Khmelenin D.N., Zhigalina O.M., Seregin D.S., Vorotilov K.A., Kotova N.M. Crystallization Features in PZT/LNO/Si Heterostructures, Virtual Early Career European Microscopy Congress 2020, Virtual, November 24-26, 2020.

5. Baklanov M.R., Zhang J., Vorotilov K.A., Leu J.J., Sigov A. Challenges of materials selection for advanced ULSI interconnects, 13th symposium with international participation «Thermodynamics And Material Sciences», Novosibirsk, Russia, October 26-30, 2020.

6. Sigov A.S., Podgorny Y.V., Vorotilov K.A., Scott J.F. Analysis of the metal-ferroelectric interface in PZT films, International Symposium on Integrated Functionalities, Dublin, Ireland, August 11-14, 2019 (приглашённый).

7. Воротилов К.А. Пористые материалы для технологий микро- и наноэлектрики, XXIII Всероссийская конференция с международным участием по неорганическим и органосиликатным покрытиям, 7-9 октября 2019 года, Санкт-Петербург (пленарный).

8. Seregin D., Vishnevskiy A., Orlov G., Storonkin V., Ovchinnikov I., Vorotilov K., Baklanov M. Temperature evolution of sol-gel PMO low-k films with different organic bridges, ADMETA-2019, Tokyo, Japan, October 10-11, 2019.

9. Vishnevskiy A., Ovchinnikov I., Seregin D., Storonkin V., Rezvanov A., Vorotilov K. Mechanical properties of porous sol-gel films, XX International Sol-Gel Conference (Sol-Gel 2019), St. Petersburg, Russia, August 25-30, 2019.

10. Бакланов М.Р., Воротилов К.А., Сигов А.С. Материалы для межсоединений в суб-10 нм технологиях, Научный совет и научный семинар научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для её создания», Москва, Россия, 27 марта 2019 года.

11. Vorotilov K.A., Sigov A.S. Porous materials formed by molecular self-assembly for new generation of micro- and nanoelectronic devices, New prospects for bilateral Russian-French cooperation. Materials research and biotechnology vs. large-scale science facilities, Workshop, Russian Centre for Science and Culture in Paris, October 29, 2019.

12. Ovchinnikov I.S., Vorotilov K.A., Seregin D.S., Dalskaya G.Yu. Detection of hidden defects in low-k dielectrics by atomic force microscopy, V International Conference on Innovations in Non-Destructive Testing SibTest, Yekaterinburg, Russia, June 26-28, 2019.

13. Sigov A., Podgorny Yu., Vorotilov K. Interface analysis in ferroelectric structures, PhotonIcs & Electromagnetics Research Symposium (PIERS-2019), Rome, Italy, June 17-20, 2019.

14. Vorotilov K.A., Sigov A.S. Porous ferroelectric ceramics films for electronics and photonics applications, PhotonIcs & Electromagnetics Research Symposium (PIERS-2019), Rome, Italy, June 17-20, 2019.

 Свидетельства и патенты:

1. Расчёт параметров пористой структуры и модуля Юнга по результатам измерений методом эллипсометрической порометрии: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2021663890 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Воротынцев Д.А. – № 2021663048; заявл. 20.08.21; опубл. 25.08.21, Бюл. № 9.

2. Автоматизация метода эллипсометрической порозиметрии: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2020667755 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2020666941; заявл. 18.12.20; опубл. 29.12.20, Бюл. № 1.

3. Определение характеристик сегнетоэлектрического гистерезиса повышенной точности: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2020610437 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Подгорный Ю.В. – № 2019667192; заявл. 25.12.19; опубл. 14.01.20, Бюл. № 1.

4. Многокомпонентная гауссовская деконволюция ИК-спектров: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2019665858 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2019664973; заявл. 22.11.19; опубл. 02.12.19, Бюл. № 11.

5. Трёхкомпонентная деконволюция полос поглощения ИК-спектров с уменьшенным числом начальных значений: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2018664322 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2018661811; заявл. 26.10.18; опубл. 14.11.18, Бюл. № 11.

6. Трёхкомпонентная деконволюция полос поглощения ИК-спектров: свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ 2018610076 Рос. Федерация / Вишневский А.С., Воротилов К.А. – № 2017661116; заявл. 31.10.17; опубл. 09.01.18, Бюл. № 1.

7. Пористый сегнетоэлектрический конденсатор: пат. на ПМ 162401 Рос. Федерация: МПК H01G7/06, H01L41/083 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2015136172/07; заявл. 26.08.15; опубл. 10.06.16, Бюл. № 16.

8. Сегнетоэлектрический конденсатор: пат. на ПМ 153583 Рос. Федерация: МПК H01G7/06 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. – № 2014152345/07; заявл. 24.12.14; опубл. 27.07.15, Бюл. № 21.

9. Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора: пат. 2530534 Рос. Федерация: МПК H 01 G 7/06 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Ланцев А.Н., Серегин Д.С., Сигов А.С. – № 2013144263/07; заявл. 02.10.13; опубл. 10.10.14, Бюл. № 28.

10. Способ приготовления плёнкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция: пат. 2490370 Рос. Федерация: МПК C 23 C 18/00, C 01 F 11/00, C 01 G 23/00 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011136110/02; заявл. 31.08.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.

11. Способ получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных плёнкообразующих растворов цирконата-титаната свинца: пат. 2470867 Рос. Федерация: МПК C01G21/00, C07C53/10, C07C51/41 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011127491/05; заявл. 5.07.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.

12. Способ приготовления безводных плёнкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации: пат. 2470866 Рос. Федерация: МПК C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, B 05 D 5/12, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011125586/05; заявл. 22.06.11; опубл. 27.12.12, Бюл. № 36.

13. Способ приготовления безводных плёнкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца: пат. 2465969 Рос. Федерация: МПК B 05 D 5/12, C 01 G 21/00, C 01 G 23/00, C 01 G 25/00, C 04 B 35/491 / Вишневский А.С., Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С. – № 2011120213/05; заявл. 20.05.11; опубл. 10.11.12, Бюл. № 31.

14. Способ изготовления многоуровневой металлизации интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками: пат. 2459313 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/768 / Валеев А.С., Шишко В.А., Ранчин С.О., Воротилов К.А., Васильев В.А. – № 2011110621/28; заявл. 21.03.11; опубл. 20.08.13, Бюл. № 23.

15. Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС: пат. 2420827 Рос. Федерация: МПК H 01 L 21/283 / Красников Г.Я., Валеев А.С., Шелепин Н.А., Гущин О.П., Воротилов К.А., Васильев В.А., Аверкин С.Н. – № 2010100321/28; заявл. 11.01.10; опубл. 10.06.11, Бюл. № 23.

Монографии:

• Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Монография / Под ред. А.С. Сигова. – Энергоатомиздат: М., 2011. – 175 с. – ISBN 978-5-283-00872-1.
• Лучников П.А., Сигов А.С., Трефилов Д.Н., Трефилов Н.А. Волновая диэлькометрия материалов / Под ред. А.С. Сигова. – М.: Научный мир, 2014. – 300 с. – ISBN 978-5-89176-520-7.
• Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С., Суржиков А.П. Ионно-плазменные технологии в радиоэлектронике / Под ред. А.С. Сигова. – М.: Радиотехника, 2014. – 270 с. – ISBN 978-5-88070-383-8.
• Ярмоленко М.А., Рогачев А.А., Лучников П.А., Рогачев А.В., Хун Д.С. Микро- и нанокомпозиционные полимерные покрытия, осаждаемые из активной газовой фазы / Под ред. А.В. Рогачева. – М.: Радиотехника, 2016. – 424 с. – ISBN 978-5-88070-387-6.

 Проекты

       Новые материалы и новые физические эффекты для создания перспективных устройств электронной компонентной базы («Ферроики», Госзадание проект № 0706-2020-0022). Период: 2020-2022 гг.

Пористые диэлектрики и сегнетоэлектрики для новых поколений устройств микро- и наноэлектроники («Силоксан», Госзадание проект № 11.2259.2017/ПЧ). Период: 2017-2019 гг.

Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники («Горец», Госзадание проект № 3.5726.2017/БЧ). Период: 2017-2019 гг.

Сегнетоэлектрические перовскиты и композиты для устройств энергонезависимой памяти (РФФИ 19-29-03058 мк). Период: 5 июня 2019 года – 4 июня 2021 года. 

Субтрактивная интеграция low-k материалов в суб-5 нм технологии: анализ критических свойств и процессов (РФФИ 18-29-27022 мк). Период: 2019-2021 гг.

Новое поколение low-k материалов с использованием процессов молекулярной самосборки: методы формирования и свойства (РФФИ 18-29-27024 мк). Период: 2019-2021 гг.

Проект организации и проведения международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (РФФИ 18-02-20702 Г). Период: 6 октября 2018 года – 31 декабря 2018 года.

Проект организации X Всероссийской школы-конференции молодых учёных «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения – 2018» (РФФИ 18-32-10041 мол_г). Период: 8 октября 2018 года – 31 декабря 2018 года.

Диэлектрики с ультранизкой диэлектрической проницаемостью для нового поколения полупроводниковых устройств (РФФИ 18-52-52010 МНТ_а Тайвань). Период: 26 февраля 2018 года – 31 декабря 2020 года. 

Проект организации и проведения Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (РФФИ 17-02-20542 Г). Период: 24 июля 2017 года – 31 декабря 2017 года. 

Проект организации и проведения IX Всероссийской школы-конференции молодых учёных «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения – 2017» (РФФИ 17-32-10299 мол_г). Период: 26 июля 2017 года – 31 декабря 2017 года. 

НОЦ «Технологический центр» совместно с кафедрой наноэлектроники ИПТИП участвует в подготовке:

– аспирантов, обучающихся по специальностям 05.27.01 «Твердотельная электроника» и 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

– студентов ИПТИП по магистерской программе «Технологии перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники»

– проводит практику и дипломное проектирование

Лучшие выпускники

Кандидаты наук:

Овчинников Иван Сергеевич

Абдуллаев Даниил Александрович

Антонович Александр Николаевич

Корпачев Максим Юрьевич

Серегин Дмитрий Сергеевич

Студенты:

Воротынцев Дмитрий Александрович

Филиппенко Максим Юрьевич

Орлов Георгий Андреевич 

Зазымкина Дарья Александровна 

Базирувиха Анна-Мария

Железняков Алексей Михайлович

Щеголев Олег Алексеевич 

Зубкова Екатерина Николаевна

Першин Владимир Александрович

Лавров Павел Павлович

Горбунов Эдуард Алексеевич

Селиванов Максим Викторович

Иванов Андрей Димитриевич

Кадькалов Даниил Владиславович

Федоровский Артем Николаевич

Табанаков Максим Олегович

Восканян Вардан Ваганович

Янусик Евгений Витальевич

Одиноков Илья Дмитриевич

АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ»)

Ключевыми направлениями деятельности АО «НИИМЭ» являются проведение научных исследований в области нано и микроэлектроники, развитие собственных отечественных технологий и уникальных продуктов. Особое внимание компания уделяет расширению набора технологий уровня 180-90 нм на заводе «Микрон», созданию технологий 65-45 нм и менее. АО «НИИМЭ» осуществляет координацию разработок РАН, других институтов, университетов и лабораторий с целью их коммерциализации в массовом производстве микроэлектроники.

Адрес: 124460, Москва, Зеленоград, 1-й Западный проезд, 12/1

Телефон: +7 495 229-72-99

Сайт: http://www.niime.ru

E-mail: niime@niime.ru

Закрытое акционерное общество «СКАН» (ЗАО «СКАН»)

ЗАО «СКАН» является системным интегратором и базовым поставщиком по созданию, поставке и сопровождению аппаратно-программных комплексов для технического перевооружения предприятий электронной промышленности. Более 20 лет успешно разрабатывает и внедряет высокотехнологичные комплексы и системы в различных отраслях экономики страны.

Адрес: 119330, Москва, улица Дружбы, 10 «Б»

Телефон: +7 495 739-50-05

Сайт: http://www.scanru.ru

E-mail: office@scanru.ru

Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН)

Проведение совместных исследований в области электродинамических свойств тонких пленок сегнетоэлектриков в терагерцевом диапазоне частот.

Адрес: 119991, Москва, улица Вавилова, 38

Телефон: +7 499 135-41-48

Сайт: http://www.gpi.ru

E-mail: postmaster@kapella.gpi.ru

Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук (ФТИ имени А.Ф. Иоффе)

Проведение совместных исследований в области электрофизических свойств тонких пленок сегнетоэлектриков.

Адрес: 194021, Санкт-Петербург, улица Политехническая, 26

Телефон: +7 812 297-22-45

Сайт: http://www.ioffe.ru

E-mail: post@mail.ioffe.ru

Южный научный центр Российской академии наук (ЮНЦ РАН)

Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких плёнок.

Адрес: 344006, Ростов-на-Дону, проспект Чехова, 41

Телефон: +7 863 266-64-26

Сайт: http://www.ssc-ras.ru

E-mail: ssc-ras@ssc-ras.ru

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)

Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких плёнок.

Адрес: 197376, Россия, Санкт-Петербург, улица профессора Попова, 5

Телефон: +7 812 346-44-87

Сайт: http://www.eltech.ru

E-mail: root@post.etu.spb.ru

Казанский (Приволжский) федеральный университет (КФУ)

Проведение совместных исследований в области физики и технологии сегнетоэлектрических тонких пленок

Адрес: 420008, Россия, РТ, Казань, улица Кремлевская, 18

Телефон: +7 843 233-71-09

Сайт: http://kpfu.ru

E-mail: public.mail@kpfu.ru

North China University of Technology (NCUT)

NCUT является многопрофильным университетом, объединяющим естественные науки и технику с гуманитарными науками, экономикой, управлением и правом. В составе 10 колледжей, 12 учебных и экспериментальных центров и девять научно-исследовательских и проектных институтов. 

Проведение совместных исследований тонких диэлектрических плёнок.

Адрес: 100144, China, Beijing, Shijingshan District, Jinyuanzhuang Road, No.5, Electron information engineer college, Department of Microelectronics

Телефон: +86 (10) 88802114

Сайт: http://en.ncut.edu.cn/

E-mail: president@ncut.edu.cn

National Chiao Tung University (NCTU)

NCTU является одним из ведущих государственных научно-исследовательских университетов Тайваня. Научная группа NCTU достигла больших успехов в области low-k, межсоединений и интеграции. Проведение совместных исследований тонких диэлектрических плёнок.

Адрес: 300, Taiwan (Republic of China), Hsinchu, University Road, 1001

Телефон: +886 3-5712121

Сайт: http://www.nctu.edu.tw/en

E-mail: president@mail.nctu.edu.tw