Основные направления деятельности

Основные направления деятельности:

Технологии

Технологии диэлектрических тонких пленок и наноструктур, в том числе активных диэлектриков, пористых материалов, проводящих оксидов и композитов
Плёнкообразующие растворы и методы формирования гетероструктур на основе сегнетоэлектриков, мультиферроиков, проводящих оксидов (PZT, BST, BFO, LNO и другие)
Плёнкообразующие растворы и методы формирования пористых сегнетоэлектриков и композитов
Плёнкообразующие растворы и методы формирования пористых изолирующих диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k) методами молекулярной самосборки
Плёнкообразующие растворы для получения различных оксидов (Si, Ti, Zr и другие) и неорганически-органических гибридов, включая периодические мезопористые оксиды
Процессы создания изолирующих и планаризирующих слоёв в BEOL и FEOL процессах
Сегнетоэлектрические тонкие плёнки, гетеро- и наноструктуры, композиты
CSD и ALD технологии осаждения

Химическая лаборатория и технологический участок с локальной чистой зоной

Синтез алкоксидных прекурсоров

Hotplate обработка пленок

Нанесение пленок

Устройства

Многоуровневые системы металлизации СБИС с низкой диэлектрической проницаемостью
Пьезоэлектрические МЭМС и датчики
Энергонезависимые CЗУ – FRAM, стойкие к экстремальным факторам
Защитные, планаризующие, пассивирующие покрытия
Плёнки для оптических и иных применений

Методы контроля

Физические процессы в диэлектриках и сегнетоэлектриках
Вольт-амперные характеристики, определение времён релаксации, методы определения стационарных токов утечки, механизмы транспорта носителей заряда
Вольт-фарадные характеристики, температурные циклы диэлектриков
Поляризация, хранение, переключение заряда, число циклов в сегнетоэлектриках
Толщина и показатель преломления (спектральная эллипсометрия)
Эллипсометрическая порометрия (пористость, размер пор, модуль Юнга)
Определение угла смачивания
ИК-Фурье спектроскопия тонких плёнок
Состав и кристаллическая структура